IRF3205PBF是一款单N沟道功率MOSFET，属于IR(现被Infineon收购)MOSFET系列，采用TO-220封装，最大耐压为55V。该器件采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了广泛的器件组合，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、开关电源(SMPS)、照明、负载开关以及电池供电应用。这些器件采用各种表面贴装和通孔封装，具有行业标准封装，便于设计。

特征描述

平面单元结构：适用于宽安全工作区(SOA)。

广泛可用性：针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化。

产品认证：符合JEDEC标准。

硅优化：针对开关频率低于100kHz的应用进行了优化。

行业标准通孔功率套件。

高电流额定值。

优势

提高坚固性。

广泛可用性：来自分销合作伙伴。

行业标准资质。

在低频应用中具有高性能。

标准引脚排列：允许直接替换。

高电流能力：最大电流ID (@25°C)为110A。

技术参数

封装：TO-220。

极性：N沟道。

总栅极电荷(QG)：典型值为97.3 nC(@10V)。

栅源电荷(Qgd)：36 nC。

导通电阻(RDS(on))：最大值为8 mΩ(@10V)。

热阻(RthJC)：最大值为1 K/W。

工作温度：最小-55°C，最大175°C。

总功率耗散(Ptot)：最大150W。

最大结温(Tj)：175°C。

最大漏源电压(VDS)：55V。

栅源电压(VGS)：最大20V。

阈值电压(VGS(th))：最小3V，最大4V。

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